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DDR5将于2021年量产/美光也可提供HBM2显存_立博首页

2020-03-30 新闻来源:双子塔首页 围观:133
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近期,内存芯片业界的重头戏除了DDR5什么时候量产外,在带宽、机能及能效上更精进的HBM2显存也是各大厂商合作的症结点。

遭到疫情的影响,三星电子、SK Hynix等内存芯片厂没法尽力生产保证产能,但响应手艺革新与将来芯片生长规划却一刻未停。三星电子示意,由于EUV手艺减少了光刻中屡次暴光的反复步骤,并进步了光刻的准确度,从而进步机能、进步产量,并缩短了开发时候。因而,2021年将会运用EUV工艺,在韩国平泽的新工场量产DDR5内存;三星同时宣告第一批采纳EUV工艺的DDR4内存已出货了100万。

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据悉,三星第四代10nm(D1a)DRAM或高端14nm DRAM入手下手周全导入EUV手艺,来岁会运用D1a工艺大规模量产DDR5和LPDDR5芯片,估计会使12英寸晶圆厂的生产效力翻倍。

除了 DDR5方面有落实的音讯外,在带宽、机能及能效上更精进的HBM2显存也是内存芯片巨子们的心头好。近日,固态手艺协会(JEDEC)推出了HBM2e范例。依据范例,HBM2存储规范JESD235C将针脚带宽进步到3.2Gbps,速度提拔25%到60%。另外,HBM2e的单Die最大2GB、单客栈12 Die(无规范高度限制),也就是24GB容量,婚配1024bit位宽,单客栈理论最大带宽410GB/s。关于支撑四客栈(4096bit)的图形芯片来讲,总带宽高达1.64TB/s,容量可达96GB。

值得注意的是,HBM2e范例最早是由三星电子和SK Hynix配合提出,而三星已争先推出容量可达96GB的HBM2e显存。固然作为第三大内存芯片厂商的美光科技也不会落伍。在最新的收益报告中宣告,他们将入手下手供应HBM2内存/显存,用于高机能显卡,服务器处理器产物。

据悉,HBM显存从2015年的AMD Fury系列显卡上首发,不过阅历五年时候都未提高,主要原因照样由于其本钱太高,同时另有产能太少有关,现在三大内存芯片厂商都投入到HBM显存范畴,期待能尽快普惠花费级群众。

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